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该工作揭示了Sb原子定向、尔汗有序迁移导致的可逆晶晶转变机理，尔汗为研发与现有CMOS技术兼容和不需要迭代激励操作的高性能多级相变存储器提供了新的途径。印度（e）Sb原子迁移示意图。

好听图文导读图1. 器件擦写性能。PCRAM的工作原理是：阿米对晶态相变材料施加强且短的电脉冲，相变材料快速熔化并淬火至非晶态，实现RESET操作。尔汗（f）Sb迁移过程的自由能变化。

电阻漂移降低了多级存储和神经形态计算的编程精度，印度破坏了器件参数（比如使阈值电压提高）。（a-d）钇锑碲擦写窗口、好听电阻漂移以及循环性能。

阿米（h）钇锑碲和碲化锑的RESET功耗对比。

尔汗非晶和晶态间巨大的电阻率差异保证了数据读取。最近的进展集中在简单的A2+B4+O3钙钛矿（BaCeO3-BaZrO3系统）上，印度其他新的钙钛矿衍生物应继续寻求。

好听图3.典型氧化物钙钛矿的氧化还原热力学研究。10、阿米钙钛矿薄膜的电催化作用开发可再生能源的需求导致了改进可再生能源技术的新方法。

在这里，尔汗作者试图重新审视这些无机钙钛矿，并将其重要功能的最新研究成果汇集在一起，接下来以此回顾这些研究，以促进领域的发展。无机钙钛矿的表面物种和组成主要决定了其本征活性，印度而表观催化活性可以通过构建具有更高表面积、印度更多暴露活性中心和增强质量/热传递能力的纳米/微结构来进一步提高。